硅晶片的檢測(cè)方法
?研磨后，進(jìn)入刻蝕和清洗工藝，使用氫氧化鈉、乙酸和硝酸的混合物以減輕磨片過(guò)程中產(chǎn)生的損傷和裂紋。關(guān)鍵的倒角工藝是要將晶圓片的邊緣磨圓，徹底消除將來(lái)電路制作過(guò)程中破損的可能性。倒角后，要按照最終用戶的要求，經(jīng)常需要對(duì)邊緣進(jìn)行拋光，提高整體清潔度以進(jìn)一步減少破損。拋光(化學(xué)機(jī)械拋光，Chemical Mechanical Polishing) 生產(chǎn)過(guò)程中最重要的工藝是拋光晶圓片，此工藝在超凈間中進(jìn)行。超凈間從一到一萬(wàn)分級(jí)，這些級(jí)數(shù)對(duì)應(yīng)于每立方米空間中的顆粒數(shù)。這些顆粒在沒(méi)有控制的大氣環(huán)境下肉眼是不可見(jiàn)的。例如起居室或辦公室中顆粒的數(shù)目大致在每立方米五百萬(wàn)個(gè)。為了保持潔凈水平，生產(chǎn)工人必須穿能蓋住全身且不吸引和攜帶顆粒的潔凈服。在進(jìn)入超凈間前，工人必須進(jìn)入吸塵室內(nèi)以吹走可能積聚的任何顆粒。硅晶片大多數(shù)生產(chǎn)型晶圓片都要經(jīng)過(guò)兩三次的拋光,拋光料是細(xì)漿或者拋光化合物。多數(shù)情況下，晶圓片僅僅是正面拋光，而300毫米的晶圓片需要雙面拋光。除雙面拋光以外，拋光將使晶圓片的一面象鏡面一樣。拋光面用來(lái)生產(chǎn)電路，這面必須沒(méi)有任何突起、微紋、劃痕和殘留損傷。
拋光過(guò)程分為兩個(gè)步驟，切削和最終拋光。這兩步都要用到拋光墊和拋光漿。切削過(guò)程是去除硅上薄薄的一層，以生產(chǎn)出表面沒(méi)有損傷的晶圓片。最終拋光并不去除任何物質(zhì)，只是從拋光表面去除切削過(guò)程中產(chǎn)生的微坑。拋光后，晶圓片要通過(guò)一系列清洗槽的清洗，這一過(guò)程是為去除表面顆粒、金屬劃痕和殘留物。之后，要經(jīng)常進(jìn)行背面擦洗以去除最小的顆粒。這些晶圓片經(jīng)過(guò)清洗后，將他們按照最終用戶的要求分類，并在高強(qiáng)度燈光或激光掃描系統(tǒng)下檢查，以便發(fā)現(xiàn)不必要的顆粒或其他缺陷。一旦通過(guò)一系列的嚴(yán)格檢測(cè)，最終的晶圓片即被包裝在片盒中并用膠帶密封。然后把它們放在真空封裝的塑料箱子里，外部再用防護(hù)緊密的箱子封裝，以確保離開(kāi)超凈間時(shí)沒(méi)有任何顆粒和濕氣進(jìn)入片盒。
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